Samsung poinformował o uruchomieniu masowej produkcji pierwszej w branży ultraszybkiej pamięci o pojemności 128 gigabajtów (GB), opartej na standardzie Universal Flash Storage (UFS) 2.0 i przeznaczonej do sztandarowych smartfonów kolejnej generacji.
W pamięciach UFS zastosowano technologię kolejkowania poleceń, która przyspiesza wykonywanie poleceń na dyskach SSD dzięki szeregowemu interfejsowi, znacznie zwiększającemu tempo przetwarzania danych w porównaniu z 8‑bitowym standardem eMMC. W rezultacie pamięć UFS Samsung przeprowadza 19 000 operacji wejścia/wyjścia na sekundę (IOPS) w odczycie losowym, czyli działa 2,7 razy szybciej w porównaniu do najpopularniejszych obecnie pamięci eMMC 5.0 montowanych w smartfonach z najwyższej półki. Technologia ta zwiększa także szybkość sekwencyjnego odczytu i zapisu do poziomu odpowiadającego dyskom SSD oraz pozwala obniżyć zużycie energii o 50 procent. Ponadto szybkość odczytu losowego jest 12‑krotnie wyższa w porównaniu z typową szybką kartą pamięci (działającą w tempie 1500 IOPS), co powinno znacznie poprawić wydajność całego systemu.
Samsung przewiduje, że w przyszłości pamięci UFS będą stosowane w najdroższych modelach urządzeń mobilnych, natomiast w urządzeniach ze średniej i taniej półki producenci pozostaną przy rozwiązaniach eMMC.
(RED/Samsung)