Nadchodzi 32-nanometrowa technologia logiczna Intela

Firma Intel ujawniła nowe informacje na temat nadchodzącej, 32-nanometrowej technologii produkcji nowej rodziny procesorów Core, które wejdą na rynek w 2010 roku, oraz przyszłych produktów SoC (System on a Chip). Intel po raz pierwszy opracował w pełni funkcjonalną technologię wytwarzania układów SoC, która uzupełnia technologię specyficzną dla procesorów — obie używają drugiej generacji tranzystorów z metalową bramką i izolatorem o wysokiej stałej dielektrycznej (High-K and Metal Gate), aby osiągnąć najwyższą w branży wydajność i najlepszą charakterystykę zasilania.

Firma podała nowe informacje o obu wersjach procesu 32-nanometrowego, a także o osiągniętym właśnie przełomie – 45-nanometrowej technologii high-k z metalową bramką. Kwestie te będą omawiane podczas różnych sesji na konferencji Intel Developer Forum w przyszłym tygodniu i w referatach na konferencji International Electron Devices Meeting w grudniu.

Technologia high-k z metalową bramką odnosi dalsze sukcesy

  • Od listopada 2007 roku Intel dostarczył ponad 200 milionów procesorów 45-nanometrowych z tranzystorami HK+MG.

Intelowski, 32-nanometrowy proces produkcyjny został zatwierdzony, a wafle z procesorami Westmere są obecnie przygotowywane do planowanego rozpoczęcia produkcji w 4. kwartale.

Druga generacja 32-nanometrowych tranzystorów high-k z metalową bramką cechuje się najwyższą wydajnością (mierzoną prądem sterowania) spośród wszystkich tranzystorów wytwarzanych w technologii 32- lub 28-nanometrowej

  • Tranzystory NMOS są wydajniejsze o 19 procent w porównaniu z odpowiednikami 45-nanometrowymi
  • Tranzystory PMOS są wydajniejsze o 29 procent w porównaniu z odpowiednikami 45-nanometrowymi

Druga generacja 32-nanometrowych tranzystorów high-k z metalową bramką cechuje się najwyższą zgłoszoną gęstością spośród wszystkich tranzystorów wytwarzanych w technologii 32- lub 28-nanometrowej

  • Długość bramki tranzystora, miara gęstości, wynosi 112,5 nm. Długość bramki wskazuje, jak gęsto można upakować tranzystory na danym obszarze. Wyższa gęstość oznacza więcej tranzystorów na danej powierzchni, a zatem większą funkcjonalność i wyższą wydajność.

Intel wprowadza 32-nanometrową technologię produkcji SoC — najbardziej zaawansowaną spośród wszystkich technologii 32- lub 28-nanometrowych

  • Intel po raz pierwszy opracował w pełni funkcjonalną technologię wytwarzania układów SoC, która uzupełnia technologię specyficzną dla procesorów.
  • Do specjalnych cech tej technologii należą tranzystory high-k drugiej generacji z metalową bramką o bardzo niskim poborze mocy, przeznaczone do obwodów z niskim prądem gotowości albo zawsze włączonych, a także wysokonapięciowe tranzystory wejścia-wyjścia.
  • Proces produkcyjny obejmuje również precyzyjne i dobre jakościowo komponenty pasywne specyficzne dla układów SoC, takie jak oporniki, kondensatory i cewki.

Autor/Redaktor publikacji

A.K.